FCP099N65S3 دیتاشیت

FCP099N65S3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP099N65S3
حجم فایل 326.593 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت FCP099N65S3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FCP099N65S3 10 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: SuperFET® III
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 400V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220-3
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: FCP099
  • detail: N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3

محصولات مشابه